西玛华晶科技（深圳）有限公司

我司西玛华晶公司销售逆变IGBT模块各型号如下：
逆变IGBT模块LUH50G1202Z      逆变IGBT模块LUH75G1202Z     逆变IGBT模块LUH100G1202Z  
逆变IGBT模块LUH75G1202Z      逆变IGBT模块LUH150G1202Z    逆变IGBT模块LWH100G1204Z
逆变IGBT模块LWH200G1204Z     逆变IGBT模块LWH300G1204Z     逆变IGBT模块LWH200G1202Z
逆变IGBT模块LWH300G1202Z     逆变IGBT模块LWH200G1204Z     逆变IGBT模块LWH300G1204Z

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：集电*、发射*间电压（*号：VC*）：栅*、发射*间短路时的集电*，发射*间的*大电压。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：栅*发*间电压（*号：VG*）：集电*、发射*间短路时的栅*，发射*间*大电压。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：集电*电流（*号：IC）：集电*所允许的*大直流电流。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：耗散功率（*号：PC）：单个IGBT所允许的*大耗散功率。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：结温（*号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：关断电流（*号：IC*）：栅*、发射*间短路，在集电*、发射*间加上指定的电压时的集电*电流。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：漏电流（*号：IG*）：集电*、发射*间短路，在栅*、集电*间加上指定的电压时的栅*漏电流。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：饱和压降（*号：V CE（sat））：在指定的集电*电流和栅*电压的情况下，集电*、发射*间的电压。

IGBT（*缘栅双*晶体管）模块的参数：输入电容（*号：Clss）：集电*、发射*间处于交流短路状态，在栅*、发射*间及集电*、发射*间加上指定电压时，栅*、发射*间的电容。

逆变模块IGBT模块LUH75G1202Z特点：

 1、为每一项应用提供个性化的设备。

 2、嵌入式保护功能。

        *静电和瞬态电压保护。

     击穿保护。

 3、拥有阳性温度系数的低饱和降压。

逆变模块IGBT模块LUH75G1202Z典型应用：
工业电动机驱动器

焊接机
UPS/EPS

感应加热