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产品信息
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逆变模块IGBT模块LUH50G1202Z
逆变模块IGBT模块LUH75G1202Z
逆变模块IGBT模块LUH100G1202Z
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逆变模块IGBT模块LWH150G1202Z
逆变模块IGBT模块LWH100G1204Z
逆变模块IGBT模块LWH200G1204
逆变模块IGBT模块LWH300G1204
逆变模块IGBT模块LWH200G1202
西玛华晶科技(深圳)有限公司的产品是引用德国国际半导体公司的产品技术和台湾半导体公司的封装工艺;由西玛科技集团联合上海华晶集团在深圳打造的亚洲区*大的功率模块供应平台,为亚洲区提供“品种*”“品质*”“交付*快”“价格”的优质产品。公司销售的功率模块产品在制造過程中**合國際品質標准及*工業標准,公司秉持“诚信经营”“客户至上”为宗旨;“品质*”“交付*快”为目標。我們的專業研发設計人員爲達成*高目標、*高品質,不斷奉献智慧與心力,为您提供*佳品质的功率模块产品。
本公司*研发制造:可控硅模块、二*管模块、快恢复二*管模块、IGBT模块,在线智能调功模块等各類型功率模块;为客戶提供完整的電力*解決方案。公司已能生产30多个系列、约400多种型号规格和60多种内部接线方式的可控硅模块、整流模块和*快恢复二*管模块等各种桥臂模;单三相整流桥模块,单三相交流开关模块,*缘型降压硅堆模块以及三相整流桥,可控硅集成模块和电焊机及充电机*硅整流组件等。并已广泛用于调光器,控温器,电解电镀和励磁电源,电池充放电,静止无功补偿装置,交直流电机控制,直流斩波调速,高频逆变焊机和工频电焊机,不停电UPS电源,开关电源,感应加热,交流电机软起动,变频装置以及各种自动化装置。产品在多项*重点工程中得到应用,部分产品已出口*(如:欧美,东南亚,俄罗斯,新加坡,马来西亚,印度等)。稳定*的产品质量满足了用户的设计制造及使用要求,深受广大用户的好评!
我司逆变模块IGBT模块特点:
1、为每一项应用提供个性化的设置。
2、嵌入式保护功能。
3、*静电和瞬态电压保护。
4、击穿保护。
5、拥有阳性温度系数的低饱和降压。
我司逆变模块IGBT模块典型应用:
工业电机驱动
焊接机
UPS/ EPS
感应加热。
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅*通过一层氧化膜与发射*实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般*20~30V。因此因静电而导致栅*击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点: 1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当*须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然*了栅*驱动电压没有*过栅**大额定电压,但栅*连线的寄生电感和栅*与集电*间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅*连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外,在栅*—发射*间开路时,若在集电*与发射*间加上电压,则随着集电*电位的变化,由于集电*有漏电流流过,栅*电位升高,集电*则有电流流过。这时,如果集电*与发射*间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合,当栅*回路不正常或栅*回路损坏时(栅*处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为*此类故障,应在栅*与发射*之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,*好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。